|
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
MOS-gidridnaia epitaksiia v tekhnologii materialov fotoniki i elektroniki
SKU: VV1214398
ISBN: 9785948365213
Pages: 488 Hardcover year: 2020 Publicher: Техносфера (Tekhnosfera)
Price: $52.14
ship 24-25
Product Reference
https://www.vasha-kniga.com/productdetail.asp?productid=1214398
Product snapshot as of 3/1/2025
Price and availability are subject to change
2008 Vasha-Kniga.com
|
|
|
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников A'"BV, A"BV1 и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэ-лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей. |
|